В Дагестанском гостехуниверситете при комнатной температуре методом высокочастотного магнетронного распыления удалось получить планарные тонкопленочные конденсаторные структуры с диэлектрическим слоем на основе аморфного нитрида алюминия. При использования в качестве обкладок прозрачных проводящих слоев возможно получение емкостных структур для оптоэлектронники.

https://t.me/prombirzha/945






.